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Física e ingeniería de nanodispositivos

El grupo de Física e ingeniería de nanodispositivos se centra en el desarrollo de dispositivos novedosos específicamente diseñados para profundizar en el conocimiento de las propiedades físicas de los materiales a nanoescala, combinando métodos litográficos y químicos de última generación con la caracterización del transporte magnético y eléctrico.

La investigación del grupo se centra actualmente en dispositivos spintrónicos en metales, grafeno y aislantes topológicos, incluidos los efectos termoeléctricos. La espintrónica introduce el grado de libertad del espín en el diseño de dispositivos y se ha predicho que podría habilitar una clase revolucionaria de dispositivos electrónicos con funcionalidades que superan la tecnología semiconductora actual. Los dispositivos electrónicos convencionales se basan en portadores de carga y la energía asociada a estos, lo que limita su velocidad debido a la disipación de energía. La espintrónica, que se basa en la orientación del espín y el acoplamiento de espín, promete velocidades mucho más elevadas, bajo consumo energético, no volatilidad y mayores densidades de integración.

Physics and Engineering of Nanodevices
Líneas principales
  • Desarrollo de nuevas estructuras de nanodispositivos y métodos de nanofabricación para investigar las propiedades físicas de los materiales a nanoescala y su relevancia tecnológica
  • Investigación de las propiedades topológicas y la propagación de información a baja energía en estados cuánticos de borde anómalos
  • Transporte de espín y térmico en sistemas 2D como aislantes topológicos, grafeno y dicalcogenuros de metales de transición
  • Control del estado magnético de sistemas ferro- y antiferromagnéticos mediante la interacción espín-órbita y, en particular, el efecto Hall de espín
  • Acoplamiento en sistemas híbridos magnón-fonón-fotón
  • Circuitería cuántica y transducción cuántica
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